研究目的
通过室温反向金属辅助化学刻蚀实现纳米级沟槽纹理化，研究其对β-Ga2O3金属-半导体-金属光电二极管响应度增强的影响。
研究成果
β-Ga2O3的MacEtch纹理化表面在光电二极管应用中相比平面表面具有竞争优势，同时展现出增强的光电流和增加的暗电流。该方法为生产更精密的β-Ga2O3器件结构开辟了道路，无需采用传统干法刻蚀及其潜在损伤。
研究不足
纹理表面显示出约10%的氧缺失，导致肖特基势垒高度降低和暗电流增加。远程I-MacEtch的机制尚未完全明确。
通过室温反向金属辅助化学蚀刻制备的纳米级沟槽纹理β-Ga?O?及具有增强响应度的光电二极管
DOI：10.1063/1.5053219
期刊：Applied Physics Letters
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
β-Ga2O3是一种新兴的宽禁带半导体，在下一代功率电子和光电子领域极具应用前景。过去几年中，基于β-Ga2O3的紫外光电探测器一直是研究热点。然而目前尚未有研究展示过通过微纳结构表面织构实现β-Ga2O3光电器件高效光管理的方法。我们首次报道了采用独特室温液相金属辅助化学刻蚀(MacEtch)技术制备的纳米沟槽织构化β-Ga2O3金属-半导体-金属光电二极管。虽然织构表面化学计量比显示约10%的氧缺位导致肖特基势垒高度降低和暗电流增大，但与未处理的平面表面相比，其响应度显著提升。MacEtch技术对β-Ga2O3适用性的实现，为该材料制备更精密的器件结构开辟了道路，且无需采用传统干法刻蚀可能造成的损伤。
作者：
Munho Kim，Hsien-Chih Huang，Jeong Dong Kim，Kelson D. Chabak，Akhil Raj Kumar Kalapala，Weidong Zhou，Xiuling Li
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