1：实验设计与方法选择：

通过在溅射硅中间层上对初始溅射镍膜进行热退火处理，获得作为ZnS基底蚀刻掩模的脱湿镍点。随后采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀法制备ZnS亚波长结构（SWSs）。最后通过原子层沉积技术在ZnS SWSs表面沉积HfO2薄膜。

2：样品选择与数据来源：

使用ZnS基底，在溅射硅膜前依次经丙酮、甲醇和去离子水清洗。

3：实验设备与材料清单：

磁控溅射仪（Sky Technology Development, JGP-450）、感应耦合等离子体刻蚀系统（ICP, Oxford Instrument Plasma Pro System100 ICP180）、原子力显微镜（AFM; 布鲁克Dimensional Icon）、扫描电子显微镜（SEM; 日立S-4700）、光谱椭偏仪（SE; J.A. Woollam M-2000UI）、纳米压痕仪（TI750Ubi; 安捷伦G200）、光学接触角测量仪（SCA20）。

4：0）、感应耦合等离子体刻蚀系统（ICP, Oxford Instrument Plasma Pro System100 ICP180）、原子力显微镜（AFM; 布鲁克Dimensional Icon）、扫描电子显微镜（SEM; 日立S-4700）、光谱椭偏仪（SE; J.A. Woollam M-2000UI）、纳米压痕仪（TI750Ubi; 安捷伦G200）、光学接触角测量仪（SCA20）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：在ZnS基底上溅射不同厚度的硅膜，通过磁控溅射在硅下层沉积不同厚度的镍膜。样品在氩气氛围中700°C热退火2小时。先采用ICP刻蚀硅下层，再通过Cl2/Ar混合气体ICP刻蚀制备ZnS SWSs。最后采用原子层沉积法在SWSs表面沉积HfO2?；つ?。

5：数据分析方法：

通过SEM表征ZnS SWSs表面形貌；AFM测量硅膜表面粗糙度；SE获取HfO2薄膜厚度；采用微磨损测试仪评估耐磨性能；FT-IR透射光谱研究ZnS SWSs光学特性；纳米压痕仪测定硬度、弹性模量及粘附耐磨性能；光学接触角测量仪记录接触角数据。