研究目的
设计并开发一种原位温度依赖型漫反射光谱仪（DRS），用于探究温度对半导体材料光学特性的影响。
研究成果
自主研发的原位TD-DRS装置能够精确表征半导体材料从室温至500K的光学特性。该装置在不影响数据可靠性的前提下，为现有设计提供了经济实惠的替代方案，适用于商业应用及产品开发。
研究不足
该装置的设置限制在最高500 K的温度和200-800 nm的光谱范围内。
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原位温度依赖漫反射光谱装置的设与开发
DOI：10.1088/1748-0221/13/11/T11003
期刊：Journal of Instrumentation
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
原位温度依赖性分光光度计商业化方面的最新进展不仅显示出记录光学吸收光谱的潜力，还有助于探索物理本质和理解仪器操作。主要针对半导体氧化物的温度变化对光学特性影响的研究，有助于探究其工作机制，并对光电器件的发展起到关键作用。作为一种非接触、无损技术，温度依赖性漫反射光谱（DRS）装置可作为原位表征光学特性的主要工具。这一认识促使我们设计开发一种能在室温以上实现原位温度依赖性DRS测量的仪器。本文报道的这套自主研发装置，能精确表征室温至500K范围内的样品——该温区正是半导体材料表征的最适范围，也是当前材料研究的核心领域。本研究在不降低数据可靠性的前提下，为现有同类测量装置提供了经济型替代方案。这套自制装置能有效分析样品多种特性，将推动温度依赖性DRS技术的仪器研发与商业化进程。
作者：
V. Mishra，M.K. Warshi，R. Kumar，P.R. Sagdeo
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