研究目的
开发一种无需催化剂的简易方法,利用乙二醇通过化学气相沉积在二氧化硅/硅衬底上制备大面积少层石墨烯薄膜,旨在应用于传感器、导电薄膜及电子设备。
研究成果
该研究成功展示了一种简单的化学气相沉积(CVD)工艺,无需金属催化剂,即可利用乙二醇作为碳源在二氧化硅/硅衬底上直接生长少层石墨烯薄膜。合成的石墨烯薄膜表现出在各类电子器件中的应用潜力,其载流子迁移率达到707 cm2/V·s。该工作为介电衬底上的石墨烯合成提供了新方法。
研究不足
直接在介电衬底上合成的石墨烯质量通常不是很高,缺陷相对较多且晶粒尺寸较小。所合成石墨烯的拉曼光谱通常具有较高的D峰,这表明存在缺陷。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用化学气相沉积法(CVD),以乙二醇(EG)作为液态碳源,在二氧化硅/Si衬底上无催化剂合成石墨烯。
2:样本选择与数据来源:
使用二氧化硅/Si衬底,合成前用丙酮和去离子水清洗。
3:实验设备与材料清单:
管式炉、氧化铝管、乙二醇(EG)、氩气和氢气、拉曼光谱仪(HORIBA LabRAM HR Evolution)、原子力显微镜(Park systems NX10)、X射线光电子能谱仪(Phi Versa Probe 5000光谱仪)。
4:0)、X射线光电子能谱仪(Phi Versa Probe 5000光谱仪)。
实验步骤与操作流程:
4. 实验步骤与操作流程:将衬底置于炉中,乙二醇蒸发并输送至衬底,在高温下分解形成石墨烯。该过程涉及温度控制、气体流量调节和反应时间管理。
5:数据分析方法:
采用拉曼光谱、XPS和AFM进行表征,电学性能通过场效应晶体管装置测量。
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