研究目的
研究AE2SiP4（AE = Sr、Eu、Ba）和Ba4Si3P8的晶体结构、电子结构及光学性质，及其在热电应用中的潜力。
研究成果
该研究报告了AE-Si-P（AE = Sr、Eu、Ba）体系中的三种新结构，拓展了硅磷化物家族。AE2SiP4（AE = Sr、Eu、Ba）是具有热电应用潜力的直接带隙半导体。Ba4Si3P8展示了由相互连接的SiP4四面体组成的相所具有的结构和键合多样性。
研究不足
Eu2SiP4样品结晶度显著较低且产率不高，其中混有EuP3和未鉴定的杂质相。Ba4Si3P8和AE2SiP4（AE = Sr、Eu、Ba）均未获得单相样品。
1：实验设计与方法选择：
通过在抽真空的碳化硅安瓿中加热元素混合物或二元磷化物前驱体来合成AE2SiP4（AE = Sr、Eu、Ba）和Ba4Si3P8。
2：样品选择与数据来源：
以金属钡、锶、铕、硅粉和红磷粉作为起始材料。
3：实验设备与材料清单：
使用Rigaku Miniflex 600进行粉末X射线衍射（PXRD），APEX-II或Bruker D8 Venture进行单晶X射线衍射，BLACK-Comet C-SR-100光谱仪获取紫外/可见漫反射光谱。
4：实验步骤与操作流程：
样品在充氩手套箱中制备，密封于抽真空的安瓿后置于马弗炉中加热。
5：数据分析方法：
采用SHELX软件套件进行结构测定与精修，使用VASP进行电子结构计算。
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Rigaku Miniflex 600
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Rigaku
Powder X-ray diffraction
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APEX-II
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Bruker
Single crystal X-ray diffraction
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Bruker D8 Venture
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Bruker
Single crystal X-ray diffraction
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BLACK-Comet C-SR-100
C-SR-100
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