研究目的
研究电子束蒸发法制备的Sb2Se3/n-Si异质结二极管的电流传输特性和电容-电压特性。
研究成果
通过电子束沉积法成功在n型硅上蒸镀了一层Sb2Se3薄膜。X射线衍射图谱显示制备的薄膜具有正交晶系结构，扫描电镜图像表明其表面致密光滑且均匀。能谱分析证实薄膜成分符合化学计量比。随着温度升高，所制备结的理想因子降低，势垒高度升高，串联电阻减小。C-2-V测试结果表明该结具有突变特性。
研究不足
该研究受限于电子束蒸发技术的技术约束及所采用的表征方法。潜在的优化方向包括Sb2Se3薄膜质量以及Sb2Se3与n-Si之间的界面。
1：实验设计与方法选择：
采用电子束蒸发技术在n型硅单晶衬底上沉积Sb2Se3薄膜。通过X射线衍射(XRD)分析结构特性，分别利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能谱仪(EDAX)研究表面形貌与元素组成。采用电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试研究电学性能。
2：样品选择与数据来源：
以n型硅片为衬底。将化学计量比的锑硒母合金原料在真空密封石英管中直接熔融制备硒化锑块体锭材。
3：实验设备与材料清单：
电子束沉积技术、X射线衍射仪(XRD，荷兰帕纳科公司Philips X'pert MPD)、场发射扫描电镜(FESEM，美国FEI公司Quanta FEG 250)、能谱仪(EDAX)、高阻计(Keithley 617型)、C-V测试仪(4108型)。
4：0)、能谱仪(EDAX)、高阻计(Keithley 617型)、C-V测试仪(4108型)。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：在10^-5 Pa真空度下将Sb2Se3薄膜蒸发沉积于n型硅片。通过石英晶体测厚仪控制蒸发过程的薄膜厚度。在黑暗环境及不同加热温度下采用I-V和C-V技术研究电学特性。
5：数据分析方法：
从I-V曲线提取理想因子、势垒高度和串联电阻值。室温下以1MHz频率测量电容-电压特性。
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获取完整内容-
X-ray diffraction
Philips X' pert MPD
Panalytical
Structural investigation of the Sb2Se3 thin film
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Field-emission scanning electron microscopy
Quanta FEG 250
FEI
Surface morphology analysis of the synthesized films
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High impedance Keithley electrometers
model 617
Keithley
Measurement of current-voltage characteristics
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Energy dispersive X-Ray unit
Elemental analysis of the synthesized films
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C-V meter
Model 4108
Measurement of capacitance-voltage characteristics
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