研究目的
研究承受高电流密度应力的GaN-on-GaN pn二极管的退化情况,并理解导致器件性能变化的物理机制。
研究成果
高电流水平下的应力会引发氢从重掺杂p-GaN层向pn结扩散,导致电阻率上升和EL信号减弱。其退化动力学与时间呈平方根关系,表明这是一个扩散过程。
研究不足
该研究聚焦于高电流应力下的退化现象,未探讨其他潜在的退化机制或不同工作条件下的长期可靠性。
研究目的
研究承受高电流密度应力的GaN-on-GaN pn二极管的退化情况,并理解导致器件性能变化的物理机制。
研究成果
高电流水平下的应力会引发氢从重掺杂p-GaN层向pn结扩散,导致电阻率上升和EL信号减弱。其退化动力学与时间呈平方根关系,表明这是一个扩散过程。
研究不足
该研究聚焦于高电流应力下的退化现象,未探讨其他潜在的退化机制或不同工作条件下的长期可靠性。
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