研究目的
报道通过化学方法在阳极氧化铝基底（Al2O3/Al）表面生长氧化锌纳米结构，进而制备金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的过程。
研究成果
可以通过化学（电化学和水热）方法构建MIS型结构。这些方法的特点是反应条件温和、速度快、成本低且易于加工，因而具备规模化生产的可能。金相分析研究表明，金属基底（铝）的电解抛光表面均匀平整，无明显粗糙度。
研究不足
该研究未提及具体局限性，但潜在的优化领域可能包括化学路线的可扩展性及纳米结构的均匀性。
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通过化学途径将ZnO纳米结构集成到MIS架构中
DOI：10.3390/proceedings1040308
期刊：Proceedings
出版年份：2017
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
由于其物理特性，氧化锌（ZnO）被视为制造电子和光电子功能器件的潜在半导体化合物。为此，已开发出多种生长技术以满足基于该材料的商用器件要求。在提升现有器件性能的路径上，低维氧化锌结构展现出良好前景。本文报道了通过化学方法在阳极氧化铝基底（Al2O3/Al）表面生长氧化锌纳米结构，进而构建金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的过程。
作者：
Rubén J. Aranda García，A. Escobedo Morales，J. Carrillo López，M. Dominguez Jimenez，N. Carlos Ramírez，José Alberto Luna López
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