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基于YBa?Cu?O??<i>δ</i>高温超导外延薄膜的平面忆阻结构中渗流通道的特性

DOI：10.1088/1361-6668/aae966 期刊：Superconductor Science and Technology 出版年份：2019 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 研究了基于YBa2Cu3O7?δ外延薄膜的忆阻器结构中渗流通道的输运特性。采用分子电子学和安德烈夫反射谱技术，考察了电极超导转变对这些结构中电阻开关效应的影响。通过分析所得异质结中的导电机制，推测渗流通道由直径约10纳米、最大临界温度为60K的氧无序畴链形成。研究结构的动态电阻零偏压异常表现出符合Kulik-Omel'yanchuk理论脏极限下典型超导体-正常态-超导体弱连接临界电流的温度依赖性。通过模拟确定了所研究异质结的物理参数。
作者： N A Tulina，A N Rossolenko，I M Shmytko，A A Ivanov，V V Sirotkin，I Yu Borisenko，V A Tulin
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于YBCO外延薄膜的忆阻器结构中渗流通道的输运特性，以揭示此类通道的形成机制。

研究成果

忆阻性YBCO异质结构中的高阻态OFF状态由结构的势垒特性决定。电极附近电场的不均匀分布会形成具有更高电场强度的区域，其特征是薄膜表层中氧缺陷的运动和重新分布以及所有结构电阻特性的改变。渗流通道是在多种过程作用下由一系列氧无序畴形成的：结构电极上隧道通道的形成以及氧向氧空位的电扩散。该通道的超导转变临界温度可通过通过结构传导的电流进行控制，其范围为0 K–60 K。

研究不足

该研究并未就渗流通道中弱连接的约瑟夫森特性给出最终结论，因此需要开展更多研究。

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