研究目的
研究[111]晶向3C-SiC纳米线直径依赖性极端力学行为的原子尺度起源,以及原子应力不均匀性与直径依赖性能量密度变化对其力学性能的影响。
研究成果
原子应力的不均匀性以及直径依赖的势能密度变化显著影响碳化硅纳米线的力学性能。应力不均匀性使裂纹形核局部化,并控制着与直径相关的强度和韧性?;谀芰康目蚣芪扌枰览岛旯奂负涡畔⒓纯勺既饭浪懔ρ阅堋?/p>
研究不足
由于计算成本限制,DFT模拟仅适用于较小尺寸的纳米线。MD模拟采用SW势函数,可能无法准确捕捉所有高阶多体相互作用。本研究聚焦于[111]晶向的3C-SiC纳米线,所得结论未必能直接推广至其他多型体或晶向。
1:实验设计与方法选择
结合密度泛函理论(DFT)和分子动力学(MD)模拟研究碳化硅纳米线的力学行为。采用SW势函数精确建模弹性和强度特性。
2:样本选择与数据来源
直径0.32至6.53纳米的碳化硅纳米线。受计算限制,DFT模拟仅适用于较小纳米线,MD模拟覆盖更广直径范围。
3:实验设备与材料清单
DFT模拟使用SIESTA软件包完成,MD模拟采用LAMMPS软件配合SW势函数。
4:实验流程与操作步骤
DFT模拟通过静水压和单轴变形获取平衡结构参数及应力-应变响应;MD模拟计算不同直径纳米线的单轴应力-应变响应。
5:数据分析方法
基于能量框架从能量-应变数据计算应力,无需宏观几何信息。分析直径依赖性力学性能与应力异质性。
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