研究目的
研究可调节耐酸Zr掺杂氧化铟（ZrInO）半导体材料在背沟道蚀刻薄膜晶体管（TFTs）中的开发与应用。
研究成果
所开发的具有可调耐酸性的ZrInO半导体在BCE-TFTs的沟道层方面具有良好的应用前景，展现出优异的电学特性和高的光学透过率。
研究不足
相对较差的电气稳定性可归因于H2O和O2分子在背沟道表面的吸附/解吸效应。ZrInO-TFT的背沟道未添加钝化层。
1：实验设计与方法选择：
开发具有可调耐酸性的ZrInO半导体材料。采用ZrInO作为有源层制备BCE-TFT器件。
2：样品选择与数据来源：
制备并表征不同组分的ZrInO薄膜。
3：实验设备与材料清单：
原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射仪（XRD）、紫外荧光光谱仪、半导体参数分析仪。
4：实验步骤与操作流程：
在玻璃基板上制备ZrInO-TFT阵列，包括Al-Nd薄膜的沉积与图形化、Al2O3:Nd介电膜的阳极氧化工艺、ZrInO薄膜的沉积与图形化以及Mo薄膜的沉积与图形化。
5：数据分析方法：
ZrInO-TFT器件的电学性能测量与表征。
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