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[IEEE 2018年第二届电子与信息学趋势国际会议（ICOEI） - 印度蒂鲁内尔维利（2018.5.11-2018.5.12）] 2018年第二届电子与信息学趋势国际会议（ICOEI） - 面向SoC应用的SOI三栅鳍式场效应晶体管中量化效应与载流子散射效应研究

DOI：10.1109/icoei.2018.8553770 出版年份：2018 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 本文对一款前沿的22纳米FinFET晶体管技术进行了优化，使其适用于半导体行业各类半导体器件及应用场景。该器件经过工业级应用优化，亦可应用于市售低功耗片上系统（SoC）产品。仿真获得的器件参数与当前国际半导体技术路线图（ITRS）报告相符，且处于可接受范围内。与常规情况相比，该器件的短沟道效应得到显著抑制。亚阈值摆幅和漏致势垒降低效应表现良好，因此还分析了漏极偏压对器件性能的影响，并研究了其在高漏极偏压下的可靠性。器件仿真采用Sentaurus TCAD完成，数学运算通过MATLAB和Origin软件实现。
作者： Rajiv Ranjan Thakur，Pragati Singh，S.S. Kiran，A.K. Singh
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

为优化领先的22纳米鳍式场效应晶体管技术在半导体器件及半导体行业各类应用中的表现，尤其适用于低功耗片上系统（SoC）产品。

研究成果

研究表明，三栅鳍式场效应晶体管（Tri-Gate FinFET）具有更优的控制机制并能有效抑制短沟道效应，使其适用于片上系统（SoC）应用。该器件参数均在可接受范围内，同时研究了技术节点缩小的影响。该研究还重点展示了该器件中亚阈值摆幅和漏致势垒降低效应的抑制情况。

研究不足

该研究侧重于模拟与数值分析，可能无法完全涵盖所有实际运行条件及变化情况。需进一步通过实验验证来确认研究结果。

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