研究目的
研究二茚并苝(DIP)和并五苯在SiO2基底上以热能及高热入射动能条件下的成核过程,旨在理解入射动能对成核行为及岛状结构密度的影响。
研究成果
DIP和并五苯在SiO2上的成核是均匀的,最大岛密度由生长速率决定,与入射动能无关。DIP的临界核尺寸约为两个分子,这表明在亚单层区域,分子向生长岛的扩散传输主导了生长动力学。
研究不足
该研究仅限于在特定衬底温度和入射动能条件下,DIP与并五苯在SiO2上的成核过程。入射动能对成核的影响可能因其他有机半导体或衬底材料而异。
研究目的
研究二茚并苝(DIP)和并五苯在SiO2基底上以热能及高热入射动能条件下的成核过程,旨在理解入射动能对成核行为及岛状结构密度的影响。
研究成果
DIP和并五苯在SiO2上的成核是均匀的,最大岛密度由生长速率决定,与入射动能无关。DIP的临界核尺寸约为两个分子,这表明在亚单层区域,分子向生长岛的扩散传输主导了生长动力学。
研究不足
该研究仅限于在特定衬底温度和入射动能条件下,DIP与并五苯在SiO2上的成核过程。入射动能对成核的影响可能因其他有机半导体或衬底材料而异。
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