研究目的
研究隧道场效应晶体管（TFETs）中短沟道效应与半导体带隙的依赖关系，以理解带隙缩放对TFET性能和可扩展性的影响。
研究成果
该研究得出结论：使用低带隙材料时，器件的可扩展性较差。漏极诱导势垒变薄随沟道长度缩放的变化可作为评估给定带隙TFET短沟道效应的良好指标，但其幅度不能用于比较不同带隙器件间的短沟道效应。在缩放TFET器件时，应充分考虑短沟道效应的带隙依赖性。
研究不足
该研究未包含对工艺敏感的陷阱辅助隧穿效应以及重掺杂导致的带隙变窄现象，这些因素可能会影响模拟结果的真实性。
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隧道场效应晶体管中短沟道效应与半导体带隙的依赖关系
DOI：10.1088/1742-6596/1034/1/012003
期刊：Journal of Physics: Conference Series
出版年份：2018
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
缩小带隙被认为是提升隧道场效应晶体管（TFET）性能的关键方法。本研究通过二维模拟探究了TFET中短沟道效应与半导体带隙的关联。结果表明：尽管电源电压随带隙同步降低，采用低带隙材料时短沟道效应更为显著。对于特定带隙材料，可通过沟道长度缩短导致的漏致势垒降低（DIBT）增幅来有效评估短沟道效应。然而不同带隙的TFET之间，仅通过比较DIBT值无法合理评判其短沟道效应差异。在设计缩微集成电路时，必须充分考虑带隙对TFET可扩展性的影响。
作者：
Nguyen Dang Chien，Chun-Hsing Shih，Hung-Jin Teng，Cong-Kha Pham
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