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氧化镓 || 氧化镓的干法刻蚀

DOI：10.1016/B978-0-12-814521-0.00012-9 出版年份：2019 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 在制造紫外日盲光电探测器、各类晶体管及传感器等器件时，通常需要对Ga2O3进行图形化处理[1,2]。该工艺通过使用介质或光刻胶掩模?；び性辞园氲继宀牧辖锌淌词迪?。刻蚀工艺主要分为两大类：液相刻蚀（即湿法刻蚀）和气相刻蚀（当采用等离子体提供反应粒子时称为干法刻蚀）[3]。刻蚀工艺可根据速率、选择性、均匀性、方向性（各向同性或各向异性）、表面质量及重复性等参数分类[3]。所有刻蚀过程都包含三个基本环节：(i) 刻蚀粒子向待刻蚀表面迁移；(ii) 发生化学反应生成可溶于周围介质的化合物；(iii) 副产物从刻蚀区域移除，使新鲜刻蚀剂能接触表面。其中(i)和(iii)通常统称为扩散过程（尽管可能存在对流现象）。这些环节中最缓慢的步骤主要决定了刻蚀速率，该速率可能受扩散限制或化学反应限制。
作者： Rohit Khanna，Kristen Bevlin，Dwarakanath Geerpuram，Jiancheng Yang，F. Ren，Stephen Pearton
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究半导体材料Ga2O3的干法刻蚀技术与机理，以理解其器件制备中的图形化过程。

研究成果

氧化镓（Ga2O3）可采用基于氯的等离子体化学法以实用速率进行刻蚀，尤其在电感耦合等离子体（ICP）放电等高离子密度条件下效果显著。肖特基势垒高度测量表明存在离子诱导损伤，该损伤可通过450°C退火有效消除?？淌幢砻娴墓庋匦院突Ъ屏勘燃负跷捶⑸浠?。

研究不足

该研究受限于氧化镓（Ga2O3）干法刻蚀研究的早期阶段，包括需要建立合适的气体化学组分、刻蚀机制，以及等离子体暴露对近表面特性的影响。其刻蚀速率和表面形貌与其他氧化物（如氧化锌ZnO）相比也存在劣势。

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