研究目的
提出一种基于Ag/TiO2纳米颗粒/TiO2薄膜/Si层结构的新型非易失性忆阻器器件，用于神经形态计算应用，该器件具有更优的导电性和存储容量。
研究成果
基于n-Si/TiO2薄膜/二氧化钛纳米颗粒/银结构制备的忆阻器器件在神经形态计算应用中展现出良好前景，其导电性和存储容量均得到提升。该器件性能源于二氧化钛纳米颗粒的晶态特性与二氧化钛薄膜的非晶态特性，以及结区内的有效电荷捕获效应。
研究不足
在负电压扫描区域下的界面层不稳定，表明在某些条件下器件稳定性和性能可能存在潜在限制。
1：实验设计与方法选择：
忆阻器器件的制备采用电子束蒸发和掠角沉积技术（GLAD）分别在n型硅衬底上沉积TiO?薄膜（TF）和TiO?纳米颗粒（NPs），随后蒸镀银顶电极。
2：样品选择与数据来源：
使用n型硅（Si）衬底，经RCA-1清洗流程处理。
3：实验设备与材料清单：
电子束蒸发仪、管式炉（GSL-1700X，MTI，美国）、场发射扫描电镜（FEGSEM）、能谱仪（EDX）、光致发光仪、拉曼光谱仪及X射线衍射仪。
4：实验步骤与操作流程：
TiO?薄膜与纳米颗粒沉积、退火处理、银电极蒸镀，以及通过FEGSEM、EDX、PL、拉曼和XRD进行表征。
5：数据分析方法：
分析表面形貌、元素分布、晶体特性及电学特性（包括I-V和C-V测试）。
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