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阴极笼等离子放电技术在硅基上沉积氮化钛薄膜的电化学行为

DOI：10.1590/1980-5373-mr-2015-0241 期刊：Materials Research 出版年份：2016 更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要： 采用带侧孔与不带侧孔的阴极笼进行等离子体放电，在硅基体上沉积了氮化钛薄膜。每层薄膜均在253 Pa压力、2小时处理时间的条件下，通过改变温度及N2和H2气体流量参数制备而成。研究运用电化学极化和电化学阻抗技术，分析了阴极笼侧孔存在与否对薄膜电化学性能的影响，并探究了所形成薄膜的电化学行为——在分析条件下这些薄膜同时表现出电容特性和电阻特性。
作者： Cintia de Laet Ravani Bottoni，Mauro César Dias，L. C. Gontijo
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

评估通过阴极笼等离子放电技术在硅上沉积的氮化钛薄膜的电化学行为，重点研究阴极笼侧面有无开孔对其电化学性能的影响。

研究成果

该研究证实了采用阴极笼进行等离子体沉积技术在制备具有不同阳极特性的氮化钛薄膜方面的有效性。笼体结构及沉积条件显著影响薄膜的电化学特性，既表现出电容行为又呈现电阻特性。需进一步研究以探索该技术的全部应用潜力。

研究不足

该研究仅限于特定的压力条件、处理时间以及温度和气体流量的变化。其他潜在变量的影响未被探究。此外，使用硅片作为基底可能无法完全体现薄膜在其他材料上的行为。

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