研究目的
通过光电效应和光谱法获取半导体的带隙和电子亲和能。
研究成果
本文提出的方法利用光电效应和光谱可靠地测定半导体的带隙和电子亲和能。研究发现李·A·杜布里奇公式在半导体光谱学中具有重要价值。此外，掺杂Cr3?的n型TiO?带隙可通过钛组分进行数学调控。
研究不足
该论文未明确提及研究的局限性。
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通过光学响应和光谱精确测定电子亲和能和带隙
DOI：10.1016/j.ijleo.2018.10.201
期刊：Optik
出版年份：2019
更新时间：2025-09-09 09:28:46
摘要：
为了通过光电效应和光谱同时获取半导体的带隙和电子亲和能，研究者将描述金属中光电流与光子能量数学关系的李·A·杜布里奇公式推广至半导体领域。由此可通过该公式计算出光子截止能量，同时利用半导体光谱检测的带隙与截止能量之差确定其电子亲和能。对五种半导体材料的实验验证表明：该方法具有可靠性，实验测得的光能量-光电产额曲线与理论曲线高度吻合，证明经典李·A·杜布里奇表面光电发射理论能像早期金属应用那样精准拟合半导体的光吸收谱形。这些结果表明，李·A·杜布里奇公式这种简洁且具有物理意义的模型在半导体光谱分析中具有重要实用价值。研究同时期望这些成果能推动对半导体适用性的全面理论分析。此外，还通过数学方式阐述了Cr3?掺杂n型TiO?的带隙如何受钛元素组分调控。
作者：
Liu Changshi
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