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GaN(0001)表面的化学惰性——氧吸附的作用——第一性原理研究

DOI:10.1016/j.mssp.2018.11.023 期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 出版年份:2019 更新时间:2025-09-09 09:28:46
摘要: 采用密度泛函理论(DFT)计算研究了氧气在GaN(0001)面(即镓终止表面)的吸附行为。结果表明:低覆盖度时氧分子在吸附过程中发生解离,两个独立的氧吸附原子位于H3位点。氧吸附原子饱和了三个镓悬挂键,通过与Op态的轨道重叠改变其能量,使这三个态与价带(VB)简并。电子计数规则(ECR)显示存在电子过剩,过剩电子会转移至其他镓悬挂键态,清洁表面的吸附能为3.74 eV/原子。在第一个临界覆盖度时费米能级移至导带,第二个临界覆盖度时下移至价带顶(VBM)。吸附能随覆盖度变化呈现特征性规律:初始阶段逐渐降低,在特定覆盖度出现能量跃变,更高覆盖度时能量迅速降至零并转为负值。覆盖度为某特定值时的奇异点是该表面氧吸附构型稳定的关键因素。低覆盖度下的平衡压力为:1500 K时10?? bar,1000 K时10?12 bar。随着覆盖度增加,由于能量和构型熵贡献的减小,平衡压力显著降低——在特定覆盖度时压力降低数个数量级,表明该覆盖度具有极高的热力学稳定性,这解释了实验中观察到的GaN(0001)表面化学惰性现象,也是电子器件用衬底机械化学抛光的关键控制因素。
作者: Pawel Kempisty,Pawe? Straka,Konrad Sakowski,Stanis?aw Krukowski
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研究概述 实验方案

确定氧气在GaN(0001)表面的吸附情况,并理解其在表面化学惰性中的作用。

研究表明,氮化镓(0001)表面吸附氧原子会在特定覆盖度下产生高热力学稳定性,这解释了实验中观察到的化学惰性现象。该稳定性对于电子器件用氮化镓衬底的机械化学抛光至关重要。

该研究仅限于理论模拟,未包含实验验证。重点在于氧吸附,未考虑氢等其他元素可能对表面性质产生的影响。

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