研究目的
研究硫化铅纳米片（PbSNSs）的形貌、比表面积及详细电学特性，以应用于可见光光电探测器。
研究成果
该研究成功合成了比表面积约7 m2/g、光学带隙约1.284 eV的硫化铅纳米片，使其适用于太阳能电池等光电器件。这些纳米片表现出随光照强度增强的光敏性，且复合值为~0.59，表明带隙中存在连续分布的缺陷态。研究结果表明其在光电探测器制备方面具有潜在应用价值。
研究不足
该研究的局限性在于PbS纳米片的合成与表征条件具有特定性。潜在的优化方向包括改进合成工艺以实现更高比表面积及更精准的缺陷态控制。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及PbS纳米片的合成及其通过SEM扫描映射、透射电镜、BET比表面积分析和电学测量的表征。
2：样品选择与数据来源：
合成了PbS纳米片并进行了表征。
3：实验设备与材料清单：
SEM/EDX（日本JSM 6360 LA）、高分辨透射电镜（日本JEOL-EM-2100-HRTEM）、牛津Optistat DN2光学恒温器、Keithley 6517b静电计。
4：实验步骤与操作流程：
样品制备后固定于光学恒温器的样品台上，在不同光照强度下进行电学测量。
5：数据分析方法：
通过数据分析确定光学带隙、光电灵敏度及复合值。
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Optical cryostat
Oxford optistat DN2
Oxford
Sample holder for photoconductivity measurements
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Digital electrometer
Keithley 6517b electrometer
Keithley
DC power supply and ammeter for measuring very low current
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SEM/EDX
JSM 6360 LA
Japan
Elemental mapping and morphology confirmation
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HRTEM
JEOL-EM- 2100-HRTEM
Japan
Morphological investigation
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