研究目的
研究有源沟道厚度变化对非晶铟锌锡氧薄膜晶体管特性的影响，以探索其在透明电子器件中的潜在应用。
研究成果
a-IZTO TFT器件在30纳米沟道厚度下展现出最佳性能，具有高场效应迁移率、低阈值电压和小亚阈值摆幅，使其成为显示应用中a-IGZO TFT的潜在替代方案。
研究不足
该研究未探讨改变IZTO薄膜化学成分或使用不同栅极介电材料的效果。也未深入研究TFT器件在长期运行中的稳定性。
1：实验设计与方法选择：
研究采用射频磁控溅射技术在室温下沉积a-IZTO活性沟道层，随后进行退火处理并沉积源/漏电极。
2：样品选择与数据来源：
制备了标称成分为In:Zn:Sn = 40:50:10原子百分比的IZTO薄膜，厚度范围为15纳米至150纳米。
3：实验设备与材料清单：
使用射频磁控溅射系统、电子束蒸发器、X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见光谱仪、霍尔效应测量仪及半导体参数分析仪。
4：实验流程与操作步骤：
依次进行薄膜沉积、退火处理，并对结构、形貌、光学及电学特性进行表征，随后制备薄膜晶体管器件并进行测试。
5：数据分析方法：
分析场效应迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等电学性能参数。
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