研究目的
研究ZnO和AgBr半导体在体相、薄片结构以及ZnO(0001)/AgBr(111)异质结界面中的电子结构,以理解ZnO/AgBr异质结的物理机制。
研究成果
TB-mBJ方法显著提高了ZnO和AgBr带隙计算的准确性,与实验值高度吻合。表面态通过从体相价带捕获电子形成n型导带。ZnO/AgBr异质结界面处的内建电势在AgBr侧高出约2.3电子伏特。
研究不足
该研究假设晶格保持完美状态,且应变未通过原子重排从连接处向两侧体相区域松弛。随着原子序数增加,WC的性能下降,从而影响AgBr晶格参数的准确性。
1:实验设计与方法选择:
采用Tran和Blaha修正的Becke-Johnson(TB-mBJ)势的全势能密度泛函理论(FP-DFT)计算。
2:样本选择与数据来源:
体相ZnO和AgBr、ZnO和AgBr的薄片结构,以及ZnO(0001)/AgBr(111)异质结界面。
3:实验设备与材料清单:
DFT的FP-LAPW方法,为Zn、O、Ag和Br原子设置的松饼罐球半径。
4:实验步骤与操作流程:
使用特定参数进行计算,包括能量收敛、k点网格和TB-mBJ势校正。
5:数据分析方法:
分析能带结构、态密度(DOS)以及势能和电荷密度的空间变化。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容