研究目的
回顾AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的最新研究进展，包括器件制备中的挑战与优化、器件制备技术的最新成果，以及模拟研究中展现出应用前景的器件结构。
研究成果
该论文全面综述了p-GaN E模AlGaN/GaN HEMT器件的最新进展与现存挑战，重点阐述了制备此类器件的关键技术及实现高性能E模器件的有前景结构。
研究不足
该论文未详细讨论具体的实验步骤或数据分析方法，因为这是一篇总结现有研究的综述文章。
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氮化镓高电子迁移率晶体管最新研究进展综述：器件、制备与可靠性
DOI：10.3390/electronics7120377
期刊：Electronics
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
基于氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管（HEMTs）在高功率和高频器件应用中展现出卓越特性。本文综述了AlGaN/GaN HEMTs的最新研究进展，内容包括以下部分：首先讨论器件制备中的挑战及优化方案；其次介绍器件制备技术的最新进展；最后探讨模拟研究中一些具有前景的器件结构。
作者：
Fanming Zeng，Judy Xilin An，Guangnan Zhou，Wenmao Li，Hui Wang，Tianli Duan，Lingli Jiang，Hongyu Yu
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