研究目的
考察各种纳米线生长机制的相对优缺点，并评估这些机制所产生纳米线的相对特性。
研究成果
该综述得出结论：理解纳米线生长行为并开发可靠的生长工艺，对器件级纳米线的大规模合成至关重要。研究强调，针对纳米电子学应用需求，根据目标纳米线的特性选择合适的生长机制具有重要意义。
研究不足
该综述指出了每种生长机制的局限性，包括外来元素的污染、对纳米线尺寸的控制，以及某些机制需要高温条件。
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纳米线生长及其生长机制在开发新型纳米材料中的应用
DOI：10.1166/jnn.2019.16016
期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology
出版年份：2019
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
纳米线纳米电子学在很大程度上取决于纳米线材料的特性。这些纳米线通过多种不同机制生长而成。为确定最适合纳米电子学的纳米线特性，我们已对这些生长机制的纳米线进行了全面对比研究。同时阐明了实现可行纳米线纳米电子学所需的加工技术开发与优化过程，并评估了能生长出最优纳米线的生长机制原理。
在各类机制中，气-液-固（VLS）机制最为古老且应用最广泛。我们讨论了VLS纳米线面临的挑战，探究了自催化生长（SCG）机制纳米线的特性，详细说明了该机制的生长条件。通过比较不同机制下纳米线的光致发光特性，揭示了各机制的相对优势。
影响纳米线在纳米电子学中适用性的关键因素——包括生长方向控制、纳米线自组织原位阵列、垂直排列定位、纳米线质量、纳米线污染、籽晶/衬底失配界面态等均已阐明。我们还阐述了自组织、生长准则、奥斯特瓦尔德熟化、斯特朗斯基-克拉斯坦诺夫生长模式等核心问题的基本原理。
缺陷、位错和层错对纳米技术危害极大?；谀擅紫呷毕?、位错和层错情况，我们详细分析了不同机制的相对优缺点。
作者：
Saeed Ganji
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