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缺陷半导体-电介质非对称三元Cantor光子晶体的单向吸收特性

DOI:10.1016/j.physe.2018.12.006 期刊:Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 出版年份:2018 更新时间:2025-09-04 15:30:14
摘要: 众所周知,由空气/(DB)NA(BD)M/空气构成的非对称双层缺陷光子晶体(其中A和B为电介质,D为有耗材料,N与M为堆叠层数且N≠M)会呈现单向吸收现象。本研究从理论上探究了非对称康托缺陷光子晶体是否也具有单向光学特性。所研究的PC结构为空气/TCSN/A/TCSM/空气,其中TCSN是由电介质B和有耗材料D构成的N阶三元康托结构(选择半导体n-InSb作为有耗材料D)。结果表明其吸收光谱同样呈现单向特性,且吸收峰存在依赖于缺陷层的缺陷?!庥氤9娑猿乒庾泳逋干淦字械娜毕菽L卣飨嗨?。
作者: Tzu-Chyang King,Yan-Min Dong
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研究概述 实验方案 设备清单

为了从理论上研究有缺陷的非对称康托尔光子晶体(PC)是否像有缺陷的非对称双层光子晶体一样表现出单向吸收特性。

有缺陷的非对称康托尔光子晶体展现出单向吸收特性,其吸收光谱中同时存在缺陷模与非缺陷模。两端级数是影响单向吸收峰的关键参数。缺陷模与非缺陷模之间的相互作用表现为叠加效应,表明二者具有独立的作用机制。

该研究为理论性研究,未包含实验验证。分析仅限于一维光子晶体及特定材料(以n型铟锑作为半导体)。

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