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非均匀光照条件下PIN光电二极管量子效率与温度及电容效应的研究

DOI：10.1007/s11082-018-1728-1 期刊：Optical and Quantum Electronics 出版年份：2019 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 本文研究了非均匀光照条件下PIN光电二极管的量子效率和带宽的影响。将吸收区划分为若干任意层，并假设每层中载流子的漂移速度恒定，求解各层的连续性方程。同时，通过考虑偏置电压、吸收区宽度和温度，研究了渡越时间和电容效应对带宽的影响。结果表明，考虑电容效应时，随着温度和偏置电压的升高，带宽会增加。我们观察了从n区和p区两侧入射的光辐射及其对带宽和量子效率的影响。结果显示，来自n区的辐射影响比p区更为显著。
作者： Roshanak Alizade，Abbas Ghadimi
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研究概述 实验方案

研究目的

研究非均匀光照条件下PIN光电二极管的量子效率和带宽的影响，包括温度、电容效应和偏置电压的作用。

研究成果

研究表明，PIN光电二极管的带宽受温度、电容效应和偏置电压的影响，在考虑电容效应时，较高的温度和偏置电压会提高带宽。入射光辐射的方向也会影响带宽，从n侧入射的辐射比从p侧入射能产生更高的带宽。在吸收区域的特定长度内，较短的波长具有更高的量子效率。

研究不足

该研究聚焦于特定材料（In0.53Ga0.47As和InP）及参数，这可能限制研究结果对其他材料或条件的普适性。模拟假设每层中载流子漂移速度恒定，可能无法涵盖所有现实变化。

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