研究目的
研究氢插层对化学气相沉积法在锗(001)衬底上生长的石墨烯结构特性的影响。
研究成果
氢插层增加了锗(001)基底上石墨烯的压缩应变和结构缺陷，同时也影响了电荷掺杂水平。这为理解石墨烯与锗的相互作用提供了新见解，并为石墨烯应用中的应变控制提供了潜在可能。
研究不足
研究指出样品在生长后会出现渐进性退化，需立即进行测量。由于石墨烯与锗的相互作用强度存在差异，所观察现象的解释较为复杂。
化学气相沉积法制备的锗(001)衬底上石墨烯的氢插层——基于拉曼光谱的应变与掺杂分析
DOI：10.1016/j.apsusc.2018.12.104
期刊：Applied Surface Science
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
我们报道了一项利用化学气相沉积法，在锗(001)衬底上生长的石墨烯于冷却过程中进行氢插层处理时其结构特性的研究。对拉曼光谱的系统统计分析表明，氢增加了石墨烯中的结构缺陷数量并导致压应变的增大。有趣的是，研究还发现氢会影响电荷掺杂。这些发现为理解石墨烯-锗相互作用的本质提供了新见解，是实现石墨烯与现代电子器件集成的重要一步。
作者：
Jaros?aw Judek，Iwona Pasternak，Pawe? Dabrowski，Wlodek Strupinski，Mariusz Zdrojek
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