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通过250°C分解铜络合物浆料并在玻璃基板上沉积纯铜薄膜及后续电镀铜

DOI：10.1016/j.apsusc.2018.12.141 期刊：Applied Surface Science 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 通过印刷含Cu(COOH)2的浆料并在氮气氛围中于250°C分解，制备出与玻璃基底强结合的纯铜薄膜。Cu(COOH)2完全转化为铜需30分钟，生成的薄膜方阻低至0.167 Ω/□（体积电阻率：15.0 μΩ·cm）。当铜络合物与α-萜品醇按6:4重量比混合时，铜膜与基底间达到最大结合强度。界面处尖刺状微观结构是优异结合性能的主要原因。通过化学镀铜增厚并改性铜膜表面，电阻进一步降至0.084 Ω/□。
作者： Chang Hyun Lee，Chang-Yong Hyun，Jong-Hyun Lee
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

通过印刷含有Cu(COOH)2的浆料，并在氮气氛围下于250°C诱导其分解，在玻璃基板上制备出具有强附着力的纯铜薄膜，从而实现最佳的附着力性能和优异的导电性。

研究成果

通过印刷含Cu(COOH)2的浆料并在氮气氛围下250°C分解，在玻璃基板上制备了强附着力的纯铜薄膜。铜配合物与α-松油醇的混合比例是控制附着性能的关键因素，其中6:4的重量比实现了最佳附着力。铜/玻璃界面处的尖刺状微观结构是优异附着性能的主要原因。经化学镀铜后方阻降至0.084Ω/□，证实了该低温低成本工艺在玻璃基板上形成铜导体或电极图案的可行性。

研究不足

烧结后的铜膜即使加热60分钟仍未呈现致密结构。所形成的铜膜上部只需施加轻微外力即可通过掸拂轻易去除。由于烧结区域靠近膜表面，CO?和H?的脱气现象阻碍了铜晶粒间的烧结，导致形成脆弱的上层结构。

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