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弱磁场下蓝宝石衬底上GaN薄膜光学性质的改性

DOI：10.1088/2053-1591/aaf612 期刊：Materials Research Express 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 我们研究了蓝宝石衬底上GaN薄膜在弱磁?。╓MF）处理后光学透过率的改变。测量在300K温度下320-1100nm波长范围内进行，结果显示WMF处理后700-800nm以上波长的透射光谱发生变化。我们采用三层模型模拟透射光谱，发现WMF引起的光学厚度变化不足以解释实验与模拟光谱之间的差异。要获得完全一致的结果，必须考虑GaN折射率和/或空气-GaN界面反射系数的改变。我们将这些WMF相关效应解释为：亚稳态复合物从结构内部边界向表面扩散溶解后，点缺陷的迁移改变了GaN薄膜的光学特性。
作者： Roman Red'ko，Grigorii Milenin，Viktor Milenin，Raisa Konakova，Svitlana Red'ko，Petro Lytvyna，Olga Babenko
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究弱磁场下蓝宝石衬底上GaN薄膜光学透过率的改变。

研究成果

WMF处理会引起GaN薄膜光学透射光谱的变化，仅靠光学厚度的改变无法完全解释这些现象。研究表明，要解释观测到的差异，必须考虑GaN折射率的改变或界面反射系数的变化。研究结果表明，WMF处理可通过点缺陷扩散和亚稳态复合物的溶解来调控GaN薄膜的光学特性。

研究不足

该研究的局限性在于假设氮化镓的折射率未发生变化，而仅关注光学厚度的改变。实验与模拟光谱在700-800纳米以上波长出现的差异表明，界面处折射率或反射系数的变化可能也起到了一定作用，但模型并未充分考虑这些因素。

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