研究目的
研究平面HgCdTe焦平面阵列中的像素间串扰，以建立串扰随器件参数变化的闭式概率模型。
研究成果
扩散概率模型为扩散串扰提供了简洁的表达式，适用于通过调整像素间距、吸收体厚度及吸收体耗尽区延伸范围来制定控制串扰的设计规则。该模型经三维数值模拟验证，显示出令人满意的一致性。
研究不足
该模型的适用性仅限于具有简单对称几何形状的平面结构，并假设像素可由准中性区域和高电场（空间电荷）区域组成。
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HgCdTe焦平面阵列中像素间串扰的扩散概率模型
DOI：10.1109/JEDS.2018.2835818
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
本文提出了一种平面HgCdTe焦平面阵列中像素间串扰的闭式概率模型，给出了串扰随像素间距、吸收层厚度及载流子耗尽区扩展等器件参数变化的简洁表达式。该方法特别适用于开展像素间串扰的参数敏感性研究，可作为大规模数值模拟的替代方案。通过对比考虑实际非单色光照条件的三维光电联合数值模拟结果，验证了该模型的有效性。
作者：
MARCO VALLONE，MICHELE GOANO，FRANCESCO BERTAZZI，GIOVANNI GHIONE，STEFAN HANNA，DETLEF EICH，HEINRICH FIGGEMEIER
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