研究目的
为了模拟硅定向凝固过程中壁面或气-固界面的异质孪晶形核,并阐明X射线同步辐射成像实验中原位观察到的孪晶细节。
研究成果
研究表明,双晶成核概率在样品边缘和/或坩埚壁处更高,因为这些位置的双晶核附着能和底部接触面积往往较低。这一结论与定向凝固过程中通常观察到的现象一致。
研究不足
该研究聚焦于薄板硅凝固,但这些模型同样适用于准单晶铸造、带状生长或衬底上生长的带状材料。近期已开展二维案例研究。
研究目的
为了模拟硅定向凝固过程中壁面或气-固界面的异质孪晶形核,并阐明X射线同步辐射成像实验中原位观察到的孪晶细节。
研究成果
研究表明,双晶成核概率在样品边缘和/或坩埚壁处更高,因为这些位置的双晶核附着能和底部接触面积往往较低。这一结论与定向凝固过程中通常观察到的现象一致。
研究不足
该研究聚焦于薄板硅凝固,但这些模型同样适用于准单晶铸造、带状生长或衬底上生长的带状材料。近期已开展二维案例研究。
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