研究目的
研究硅注入同质外延生长氮化铝的电学与结构特性，以实现紫外光电子学和高功率器件应用中的高n型导电性。
研究成果
该研究表明，通过一种新型退火工艺，利用离子注入技术可在氮化铝（AlN）中实现均匀的掺杂分布，并显著修复晶格损伤。与先前方法相比，室温下n型电导率提高了1个数量级，且较低的激活能表明DX中心形成受到了抑制。
研究不足
该研究受限于退火后残留的晶格损伤和/或缺陷复合体的形成，这些因素可能仍会影响导电性。需要进一步优化退火工艺。
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[2018年IEEE国防光子学研究与技术应用会议(RAPID) - 美国佛罗里达州米拉马尔海滩(2018.8.22-2018.8.24)] 2018年IEEE国防光子学研究与技术应用会议(RAPID) - 硅注入同质外延生长氮化铝的电学与结构特性研究
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DOI：10.1109/rapid.2018.8508915
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
氮化铝（AlN）是紫外光电子学和高功率器件应用中极具吸引力的材料；然而，实现高n型导电性仍是一项挑战。离子注入可能为获得适合器件运行的电导率提供途径。本文提出了一种修复晶格损伤的新型退火工艺。
作者：
M. Hayden Breckenridge，Luis Hernandez-Balderrama，Andrew Klump，Pramod Reddy，James Tweedie，Ronny Kirste，Ramón Collazo，Zlatko Sitar
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