研究目的
描述UMS正在开发的新型GaN-on-SiC技术的主要特性，并报告基于该技术设计的两个演示器的结果。
研究成果
多个演示器的开发证实了GH15-10技术能够覆盖宽带、Ku波段和Ka波段应用，频率高达35 GHz。该技术的发布预计将在2019年初进行。
研究不足
校准未考虑接入线对晶体管引入的损耗，在30 GHz频段影响显著。
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[IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日至25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 面向Ka波段应用、基于碳化硅衬底的0.15微米工业级AlGaN/GaN技术
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[IEEE 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 西班牙马德里(2018年9月23日至25日)] 2018年第13届欧洲微波集成电路会议(EuMIC) - 面向Ka波段应用、基于碳化硅衬底的0.15微米工业级AlGaN/GaN技术
DOI：10.23919/EuMIC.2018.8539905
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
本文介绍了UMS公司正在研发的新型GaN-on-SiC技术的主要特性。该技术采用0.15微米栅长工艺，目前正处于工业认证阶段，目标于年底前发布。同时报告了已基于该新技术成功设计的四款演示样机中的两款成果：一款29.5-36 GHz 9W高功率放大器（HPA）和一款15.5-18.5 GHz 20W高功率放大器（HPA）。
作者：
V. Di Giacomo-Brunel，E. Byk，C. Chang，J. Grünenpütt，B. Lambert，G. Mouginot，D. Sommer，H. Jung，M. Camiade，P. Fellon，D. Floriot，H. Blanck，J.-P. Viaud
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