研究目的
用于可重构天线设计中开关应用的高低阻硅（HR与LR）的实验特性表征。
研究成果
实验表明，在光照条件下高阻硅（HR Si）的电阻存在显著变化，这使其适用于可重构天线设计。使用卤素灯不仅成本效益高且易于连接，还为设计各类可重构无源电路提供了可行方案。
研究不足
在50Ω传输线实验中，高阻硅（HR Si）的导通状态电阻与50Ω不匹配，且卤素灯的强度未得到精确控制。
1：实验设计与方法选择：
实验采用卤素灯和激光源对开关传输线上的高阻硅（HR Si）进行建模，以观察电阻变化。
2：样品选择与数据来源：
使用电阻率为10kΩ·cm、厚度为0.5 mm的高阻硅（HR Si）以及电阻率为1-10 Ω·cm的低阻硅（LR Si）。
3：5 mm的高阻硅（HR Si）以及电阻率为1-10 Ω·cm的低阻硅（LR Si）。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：卤素灯、红外激光器、网络分析仪、RO4003基板、银环氧树脂。
4：实验步骤与操作流程：
在不同光照条件下测量反射系数和传输系数。
5：数据分析方法：
将测量结果与仿真及电路模型进行对比。
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halogen lamp
Used for illuminating the HR Si sample to observe resistance variation.
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IR laser
Used for concentrated power illumination on the silicon switch.
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network analyzer
Used for measuring the reflection and transmission coefficients of the transmission line.
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RO4003 substrate
Used for fabricating the meandered transmission line.
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silver epoxy
Used for bonding the silicon piece to the transmission line.
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