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GaAs纳米结构的光致发光

DOI：10.5897/ijps2014.4245 期刊：International Journal of Physical Sciences 出版年份：2015 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 半导体纳米结构的限制特性在技术应用方面具有良好前景。本研究的主要目标是描述砷化镓量子点（QDs）的光致发光（PL）强度与温度、激发波长、时间和光子能量等不同参数的依赖关系。通过Matlab和FORTRAN代码对模型方程进行数值分析和模拟。实验拟合值和材料物理性质被用作我们模拟的数据来源。结果表明，在低温下峰值相当尖锐，随着温度升高，光致发光强度降低，并在特定热能下猝灭。
作者： Alemu Gurmessa，Getnet Melese，Lingamaneni Veerayya Choudary，Sisay Shewamare
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研究概述 实验方案

研究目的

描述砷化镓量子点（QDs）的光致发光（PL）强度与温度、激发波长、时间及光子能量等不同参数的依赖关系。

研究成果

GaAs量子点的发射光谱显示，在低温下具有较高的光致发光（PL）强度。随着温度升高，热能增加，光致发光逐渐猝灭。结果还表明，光致发光强度随波长增加而降低。在接近GaAs量子点平均直径处观察到尖锐的峰值光致发光强度。光致发光强度出现在有限的可见光子能量范围内。当光子能量超过带隙能量时，峰值光致发光强度降低。光致发光强度随时间衰减，这是由辐射和非辐射跃迁共同作用所致。

研究不足

未明确提及。

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