研究目的
基于去除速率、溶解速率、腐蚀情况、抛光后表面质量以及抛光后颗粒污染等方面，研究含过硫酸铵（APS）和油酸钾（PO）的二氧化硅分散液对钴互连材料抛光的适用性。
研究成果
优化后的浆料配方（含3 wt%二氧化硅、1 wt% APS和0.2 mM PO，pH值为9）适用于钴互连结构的平坦化处理，具有高去除速率、最小化电偶腐蚀及优异的抛光后表面质量。
研究不足
该研究聚焦于钴化学机械抛光（Co CMP）中APS和PO浓度及pH值的特定条件，可能未涵盖所有潜在变量或情况。
1：实验设计与方法选择：
研究通过配制不同浓度APS和PO的浆料，评估其对钴抛光效果的影响。
2：样品选择与数据来源：
采用硅晶圆上的物理气相沉积（PVD）钴薄膜，以及TiN、SiO2和Si3N4薄膜。
3：实验设备与材料清单：
使用摩擦学研究中心的抛光机、Nexsil 125K胶体二氧化硅及ACS试剂级化学品。
4：实验步骤与操作流程：
在特定条件下抛光钴样品，并根据电阻率和厚度的变化计算去除速率。
5：数据分析方法：
基于去除速率、溶解速率、腐蚀电位和表面质量评估浆料的效果。
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Shimadzu PC-2401 UV-vis spectrophotometer
PC-2401
Shimadzu
Used for UV-vis spectroscopic analysis.
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Nexsil 125K colloidal silica
125K
Nyacol Nano Technologies
Used as abrasives in the slurry for chemical mechanical polishing.
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Fujibo pad
Used for polishing experiments.
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Filmetrics F-20 interferometer
F-20
Filmetrics
Used to determine thickness changes of SiO2 and Si3N4 films.
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MC5
Sartorius
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PCI4
Gamry
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