研究目的
研究二维材料（特别是WTe2）中孪晶畴界（TDBs）的形成机制，并理解应变在这一过程中的作用。
研究成果
该研究首次揭示了WTe2中由位移诱导的拓扑位错（TDBs），其产生需要至少7%的临界剪切应变。TDBs的形核是通过原子的集体位移而非热致随机运动实现的。这一发现为二维过渡金属硫族化合物中的铁弹性开关及其他激动人心的物理现象开辟了可能。
研究不足
该研究聚焦于WTe2，其发现可能并不直接适用于其他二维材料。表面波纹效应较弱，对计算所得的GSFE曲线影响不足6%，可视为可忽略不计。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用扫描隧道显微镜（STM）观察WTe2单晶表面的TDB结构形成。结合密度泛函理论（DFT）计算与弹性理论分析来理解其形成机制。
2：样品选择与数据来源：
通过将熔融的铟固化在硅基底上固定WTe2单晶。样品制备时先通过基底下方的加热器熔化铟，再将WTe2单晶置于其上。
3：实验设备与材料清单：
用于高分辨率成像的STM、作为粘合剂的铟、硅基底、用于熔化铟的加热器。
4：实验步骤与操作流程：
熔化铟后将WTe2单晶放置其上，关闭加热器使铟凝固，从而对WTe2引入应变。使用STM观察表面及TDB结构形成。
5：数据分析方法：
采用几何相位分析（GPA）量化WTe2表面的非均匀应变场，利用DFT计算研究孪生过程及能垒。
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scanning tunneling microscopy
Observing twin domain boundary formations on the surface of WTe2 single crystal.
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indium
Used as adhesive to glue WTe2 single crystal to Si substrate.
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Si substrate
Substrate for the WTe2 single crystal.
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heater
Used to melt indium for attaching WTe2 single crystal to Si substrate.
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