研究目的
通过使用聚偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物[P(VDF-TrFE)]的同质双层结构降低铁电聚合物绝缘体的表面粗糙度，从而提升有机非易失性存储晶体管的电学性能。
研究成果
同质双层P(VDF-TrFE)显著降低了聚合物绝缘体的表面粗糙度，从而提升了有机非易失性存储晶体管的电学性能，表现为更高的存储开关比和迁移率。该方法为改进非易失性FeOTFT存储器件提供了科技基础。
研究不足
该研究聚焦于表面粗糙度的降低及其对存储晶体管电性能的影响。潜在的优化方向包括进一步降低表面粗糙度，以及探索其他材料或方法以提升性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用均质双层P(VDF-TrFE)以降低聚合物绝缘体表面粗糙度。首层通过旋涂并在140°C下固化，第二层通过旋涂并在60°C下固化。
2：样品选择与数据来源：
使用ITO图案化玻璃基板，经丙酮和异丙醇清洗后干燥。
3：实验设备与材料清单：
环戊酮中的P(VDF-TrFE)溶液、用于厚度测量的Alpha-step仪、用于并五苯沉积的热蒸发系统、用于电学特性测量的半导体参数分析仪、用于表面形貌的原子力显微镜（AFM）及用于表面形貌的扫描电子显微镜（SEM）。
4：实验流程与操作步骤：
包括旋涂、固化、并五苯与金电极沉积以及电学特性测量。
5：数据分析方法：
通过AFM分析表面粗糙度，利用半导体参数分析仪评估电学性能。
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获取完整内容-
Atomic Force Microscope
Multi Mode 8
Bruker
Examining the surface morphology of the ferroelectric P(VDF-TrFE) insulator
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Field Emission Scanning Electron Microscope
S-4800
Hitachi
Analyzing the surface topography of the ferroelectric P(VDF-TrFE) insulator
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Measuring the thickness of the ferroelectric P(VDF-TrFE) insulator
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