研究目的
研究金属有机簇极紫外光刻胶在先进光刻系统中的进展与性能。
研究成果
氧化锌纳米团簇光刻胶在极紫外辐射下展现出良好的光刻性能，具有更高的抗蚀刻能力和实现极限分辨率图案化的潜力。该研究强调了分子尺寸分布和配体种类对获得高分辨率图案的重要性。
研究不足
该研究强调了某些金属氧化物光刻胶中桥接和浮渣形成的挑战，以及需要具有更低分子量和更窄分散度的材料来提升性能。
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金属有机团簇极紫外光刻胶的研究进展
DOI：10.1116/1.5050942
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B
出版年份：2018
更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要：
大多数先进微电子设备采用193纳米浸没式光刻系统制造，但由于其物理极限临近，难以跟上半导体技术的快速发展。极紫外（EUV）光刻技术使用更短波长（即13.5纳米）光源，可实现20纳米半间距以下图形打印。由于EUV曝光产生的光子数量少于193纳米光曝光，该技术需要能利用EUV光子的光刻胶。本文将讨论我们在金属氧化物光刻胶研究方面的最新进展。
作者：
Kazunori Sakai，Hong Xu，Vasiliki Kosma，Emmanuel P. Giannelis，Christopher K. Ober
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