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不同金属电极下CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的多重电阻开关行为

DOI：10.1016/j.apsusc.2018.12.124 期刊：Applied Surface Science 出版年份：2018 更新时间：2025-09-04 15:30:14
摘要： 利用有机-无机杂化钙钛矿材料（如CH3NH3PbI3）中的缺陷特性对存储应用具有积极意义。本工作采用铝（Al）、银（Ag）和金（Au）等常用电极构建了简易的CH3NH3PbI3存储器件，呈现出不同的开关行为。ITO/CH3NH3PbI3/Al器件使用铝电极时展现出阻变随机存储器（ReRAM）特性：SET电压为4.5V，通过施加超过1.3V的负向扫描电压可触发复位（归因于碘空位丝的形成）。值得注意的是，当采用银和金阴极替代铝时，则表现出一次写入多次读?。╓ORM）型阻变开关特性——银和金电极对应的OFF→ON转换电压分别为4.7V和4.0V。即使施加反向电压，"短路效应"依然存在，表明数据得以保持。这些制备的器件有助于深入理解电极选择机制，并为阻变存储器的应用研究开辟了新方向。
作者： Gregory Thien Soon How，Noor Azrina Talik，Yap Boon Kar，Hideki Nakajima，Sarayut Tunmee，Goh Boon Tong
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究不同金属电极的CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜的电阻开关行为及其在存储器件中的应用。

研究成果

该研究成功展示了使用Al、Ag和Au电极的CH3NH3PbI3钙钛矿存储器件中不同的电阻切换行为。Al电极表现出ReRAM特性，而Ag和Au电极则呈现WORM行为。这项研究有助于理解针对特定存储应用选择合适电极的方法，并为进一步研究开辟了可能性。

研究不足

该研究的局限性在于使用了特定的金属电极（铝、银、金）和CH3NH3PbI3钙钛矿材料。电阻切换机制可能因不同材料或制备方法而有所变化。

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