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离子注入——研究与应? || 离子注入硅-氧化硅结构的兆电子伏特电子辐照

DOI：10.5772/67761 出版年份：2017 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 采用深能级瞬态谱（DLTS）、热刺激电流（TSCM）、卢瑟福背散射（RBS）和软X射线发射光谱（SXES）等方法，研究了(10-25) MeV电子辐照对注入不同离子（Ar、Si、O、B和P）的Si-SiO?结构的影响。研究表明：在双重处理的Si-SiO?结构中，高能电子诱发的缺陷生成显著依赖于预注入离子相对于Si-SiO?界面的位置以及硅片类型（n型或p型）。通过原子力显微镜（AFM）观察到离子注入及高能电子辐照导致的Si-SiO?结构表面粗糙度变化。同时探讨了MeV电子辐照在离子注入Si-SiO?结构的SiO?层中产生的纳米硅团簇现象。
作者： Sonia B. Kaschieva，Sergey N. Dmitriev
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究(10-25) MeV电子辐照对注入不同离子(Ar、Si、O、B和P)的Si-SiO2结构的影响，以及缺陷和Si纳米团簇的产生。

研究成果

研究表明，兆电子伏特（MeV）电子辐照对离子注入硅-二氧化硅结构中的缺陷产生具有显著影响，这种影响取决于注入离子相对于硅-二氧化硅界面的位置以及硅晶圆的类型。通过MeV电子辐照可在二氧化硅中生成硅纳米团簇，其尺寸和密度与注入剂量相关。

研究不足

本研究仅限于MeV电子辐照对离子注入Si-SiO2结构的影响，未探讨其他类型的辐射或注入条件。研究结果仅适用于所使用的材料和实验方法。

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