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2016年欧洲显微镜学大会论文集 || 氮化物基金属/半导体超晶格的微观结构演变与热稳定性:在热电及硬质涂层领域的应用

DOI:10.1002/9783527808465.EMC2016.4639 出版年份:2016 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 本文通过高分辨(扫描)透射电子显微镜(HR(S)/TEM)成像与能量色散X射线光谱(EDX)面扫描技术,对沉积态及退火处理的多种金属/半导体超晶格样品进行了质量与微观结构的详细分析。外延生长的金属/半导体超晶格作为电子、光子及等离子体器件中的化合物材料具有应用前景,同时在硬质涂层和热电材料领域也备受关注[1]。超晶格的晶体质量(包括缺陷密度、相纯度、界面粗糙度及各层化学计量比)对其物理特性及实际应用至关重要。最新研究表明,以(Al,Sc)N为半导体组分的金属/半导体超晶格可通过磁控溅射在[001]MgO衬底上实现低缺陷密度的外延生长[2]。结合HR(S)/TEM与EDX面扫描对沉积态及长期退火的立方相TiN/(Al,Sc)N超晶格进行相形成与热稳定性研究发现:随着退火时间延长,金属原子相互扩散导致TiN与(Al,Sc)N层发生混合[3]。本研究采用磁控溅射法制备了性能改进的(Ti,W)N/(Al,Sc)N[4]和(Hf,Zr)N/ScN[5]超晶格,并通过多种透射电镜技术分析其微观结构演变与热稳定性(图1展示了改进型立方相(Ti,W)N/(Al,Sc)N超晶格截面的STEM全景图(a)及金属/半导体界面区域的高分辨TEM照片,证实了优异的外延生长质量[4];图2对比显示(Zr,Hf)N基体系相比传统TiN基超晶格具有更优热稳定性——经950°C退火120小时后,TiN/AlScN体系的EDX高分辨面扫描揭示金属原子扩散现象(b),而Hf0.5Zr0.5N/ScN超晶格保持结构完整(d))。所有实验均在林雪平大学配备Gatan Quantum ERS GIF、高亮度XFEG光源及Super-X EDX探测器的图像与探针校正单色化FEI Titan3 60-300电镜(300kV)上完成[6]。
作者: Magnus Garbrecht,Jeremy L. Schroeder,Lars Hultman,Jens Birch,Timothy D. Sands,Bivas Saha
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研究概述 实验方案 设备清单

研究氮化物基金属/半导体超晶格的微观结构演变与热稳定性,应用于热电和硬质涂层领域。

研究表明,(Hf,Zr)N/ScN超晶格相比基于TiN的体系具有更优异的热稳定性,退火后互扩散现象极小。这提升了其在热电和硬质涂层技术中的应用潜力。未来研究应聚焦于扩大生产规模及实际工况下的测试。

该研究仅限于特定的氮化物基超晶格体系及退火条件;推广至其他材料或温度可能需要进一步研究。优化方案可包括调整退火参数或探索其他表征技术。

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