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利用堆叠纳米间隙金结构控制等离子体退相干时间以实现强近场增强

DOI:10.1016/j.apmt.2018.12.004 期刊:Applied Materials Today 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:23:52
摘要: 构建具有强近场增强的金属纳米结构对于等离子体器件(如等离子体传感器和光能转换系统)的实际应用日益重要。值得注意的是,近场增强效应取决于等离子体退相位时间。本研究提出通过利用等离子体耦合来控制退相位时间以实现更强近场增强的方法。我们在掺铌二氧化钛基底上采用电子束光刻和干法刻蚀工艺,制备了由金属/绝缘体/金属纳米结构组成的有序堆叠纳米间隙金(Au)结构阵列。通过厚度为15纳米的氧化铝层分隔的上下金纳米结构之间的近场耦合,激发了暗等离子体模式。基于暗等离子体模式的激发,电磁场在上下载金纳米结构间局域化及更长的等离子体退相位时间共同诱导出强近场增强效应。值得注意的是,通过时间分辨光发射电子显微镜测量发现,与金纳米块体的等离子体模式相比,所测暗等离子体模式的退相位时间延长了三倍——这一参数可通过堆叠纳米间隙金结构的结构设计进行调控。
作者: Kosei Ueno,Jinghuan Yang,Quan Sun,Daisuke Aoyo,Han Yu,Tomoya Oshikiri,Atsushi Kubo,Yasutaka Matsuo,Qihuang Gong,Hiroaki Misawa
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研究概述 实验方案 设备清单

利用等离激元耦合控制金属纳米结构中等离激元退相位时间,以实现更强的近场增强。

该研究成功证明近场增强效应取决于等离子体去相位时间,而通过堆叠纳米结构中的近场耦合可调控这一时间,使去相位时间延长三倍并实现更强增强效果,为等离激元器件设计提供了指导方针。

制造具有精确控制的金属纳米结构可能具有挑战性;该研究仅限于特定材料和结构,潜在的优化可能涉及改变其他参数,如使用不同的金属或绝缘材料。

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