1：实验设计与方法选择：

本研究采用金属辅助化学刻蚀法（MACE）制备硅纳米线，通过液相剥离法获得g-C3N4纳米片，再经旋涂工艺构建异质结复合结构。利用光电化学（PEC）测试评估其产氢性能。

2：样品与数据来源：

以掺硼p型Si(100)晶圆为基底，块体g-C3N4由三聚氰胺粉末高温合成，电解液为pH≈7的0.5 M Na2SO4溶液。

3：5 M Na2SO4溶液。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括X射线衍射仪（PANalytical X'Pert PRO）、原子力显微镜（Agilent 5500）、场发射扫描电镜（Carl Zeiss Sigma）、高分辨透射电镜（LEBRA 200 TEM）、紫外可见分光光度计（SHIMADZU 2450）、电化学分析仪（Biologic SP 150）及带AM 1.5G滤光片的光源（Oriel）。材料包含硝酸银、氢氟酸、过氧化氢、三聚氰胺、异丙醇、硫酸钠、铟镓合金、环氧树脂、Ag/AgCl参比电极及铂对电极。

4：0）、场发射扫描电镜（Carl Zeiss Sigma）、高分辨透射电镜（LEBRA 200 TEM）、紫外可见分光光度计（SHIMADZU 2450）、电化学分析仪（Biologic SP 150）及带AM 5G滤光片的光源（Oriel）。材料包含硝酸银、氢氟酸、过氧化氢、三聚氰胺、异丙醇、硫酸钠、铟镓合金、环氧树脂、Ag/AgCl参比电极及铂对电极。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：通过银沉积-刻蚀MACE法制备硅纳米线；块体g-C3N4经三聚氰胺加热合成；g-C3N4纳米片在异丙醇中剥离；将纳米片旋涂于纳米线表面形成复合结构。表征手段涵盖XRD、AFM、FESEM、TEM、UV-Vis及LSV、EIS、Mott-Schottky等PEC测试。

5：数据分析方法：

采用电化学技术分析数据，EIS数据通过等效电路拟合，载流子寿命由Bode图计算，光电流密度与效率参数源自J-V曲线。