研究目的
研究III-V族半导体红外吸收剂与探测器的进展，包括更高工作温度的理论对比与实验验证。
研究成果
InAs/InAsSb II型超晶格因具有较长的少数载流子寿命且与nBn结构兼容，在中波红外应用中表现出色，其工作温度可比InSb更高。理论对比显示不同材料在各波长范围具有各自优势。
研究不足
由于假设了尖锐界面以及能带结构参数可能存在不准确性，这些计算是半定量的；实际生长的超晶格可能存在交叉掺杂问题，从而影响结果。
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III-V族半导体红外吸收材料与探测器的研究进展
DOI：10.1016/j.infrared.2018.12.034
期刊：Infrared Physics & Technology
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:23:52
摘要：
体材料III-V族半导体如InGaAsSb和变态InAsSb，以及多种II型超晶格如InGaAs/GaAsSb、InAs/GaSb和InAs/InAsSb的进展，提供了从短波到甚长波红外的连续可调截止波长覆盖范围。我们进行了基础理论分析以比较不同红外材料，并简要报道了中波InAs/InAsSb II型超晶格单极势垒红外探测器及焦平面阵列的实验结果，其工作温度显著高于InSb。
作者：
David Z. Ting，Alexander Soibel，Arezou Khoshakhlagh，Sam A. Keo，Sir B. Rafol，Anita Fisher，Brian J. Pepper，Edward M. Luong，Cory J. Hill，Sarath D. Gunapala
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