1：实验设计与方法选择：

采用反应式高功率脉冲磁控溅射（HPPMS）沉积AlN薄膜，通过调节氮气流量和脉冲宽度控制靶材溅射模式（金属态、过渡态、化合物态）及溅射功率。使用非平衡磁控溅射系统。

2：样品选择与数据来源：

以硅（100）晶圆为衬底，样品制备参数包括不同氮气流量（0至15 sccm）和脉冲宽度（50、60、70、80微秒）。

3：80微秒）。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包含非平衡磁控溅射系统、脉冲电源（HPS-450D）、示波器（TDS-220）、光学发射光谱系统（AvaSpec-2048-7-USB2，AvaLIBS-Specline-AMS）、触针式轮廓仪（Ambios XP-2）、能谱仪、X射线光电子能谱仪（Escalab 250Xi）、X射线衍射仪（X'pert）、原子力显微镜（Multimode 8）、场发射扫描电子显微镜（JSM-7100F）。材料包括铝靶（纯度99.95%）、氮气（纯度99.999%）、氩气（纯度99.999%）及硅晶圆。

4：0）、光学发射光谱系统（AvaSpec-2048-7-USB2，AvaLIBS-Specline-AMS）、触针式轮廓仪（Ambios XP-2）、能谱仪、X射线光电子能谱仪（Escalab 250Xi）、X射线衍射仪（X'pert）、原子力显微镜（Multimode 8）、场发射扫描电子显微镜（JSM-7100F）。材料包括铝靶（纯度95%）、氮气（纯度999%）、氩气（纯度999%）及硅晶圆。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：系统抽真空至本底压强低于8×10?? Pa。通过直流磁控溅射清洁靶材，辉光放电清洗衬底。在施加-50V直流偏压条件下沉积薄膜30分钟（无额外加热）。使用示波器和OES监测靶材放电及等离子体特性，沉积后测量薄膜性能。

5：数据分析方法：

采用晶圆曲率法分析残余应力，EDS分析成分，XPS分析化学键合，XRD分析晶体结构，AFM测量表面粗糙度，FE-SEM观察形貌。