研究目的
为探究有机半导体中主体分子与掺杂分子能级排列的机制，特别是其随薄膜厚度和基底功函数的变化规律，以优化高性能有机发光器件的材料选择。
研究成果
当沉积在高功函数基底上时，由于界面能量无序性，主体-掺杂剂能级排列具有厚度依赖性?；赨PS测量数据推导的经验性界面无序函数，结合修正后的高斯态密度模型后，与实验数据高度吻合。这凸显了界面无序和偶极效应的关键作用，为通过可控电荷传输优化OLED器件性能提供了理论依据。
研究不足
Ir 4f芯能级谱中的低信号可能影响准确性，薄膜误差可达约0.1电子伏特。经验无序函数为简化起见采用恒定参数，可能无法完全捕捉分子特异性变化。本研究仅限于特定有机材料和基底，对其他体系的适用性需进一步验证。
1：实验设计与方法选择：
结合X射线光电子能谱（XPS）和紫外光电子能谱（UPS）研究沉积在MoO3包覆ITO基底上的主体-掺杂剂体系（CBP和Ir(ppy)2(acac)）的能级排列。理论建模采用含/不含界面无序的高斯态密度（DOS）。
2：样品选择与数据来源：
使用经紫外臭氧清洗处理的ITO镀膜玻璃基底。有机材料（CBP、Ir(ppy)2(acac)、CuPc、TAPC、C60）通过热蒸镀沉积。样品原位转移分析且全程不破真空。
3：实验设备与材料清单：
PHYSICAL ELECTRONICS 5500多技术系统用于光电子研究，Al Kα（1486.7 eV）和He Iα（21.22 eV）辐射源，石英晶体微天平监测沉积速率，基底（ITO、MoO3包覆ITO），有机材料（CBP、Ir(ppy)2(acac)、CuPc、TAPC、C60）。
4：7 eV）和He Iα（22 eV）辐射源，石英晶体微天平监测沉积速率，基底（ITO、MoO3包覆ITO），有机材料（CBP、Ir(ppy)2(acac)、CuPc、TAPC、C60）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：高真空下以指定速率沉积有机层。采用特定出射角和偏压进行XPS与UPS测量。从光谱中提取HOMO能级偏移和半高宽，通过高斯分布及经验函数拟合数据。
5：数据分析方法：
对HOMO光谱进行高斯拟合，推导经验界面无序函数，应用含无序函数的修正高斯DOS模型，并采用通用能级排列规则计算。统计分析包含误差棒的标准偏差。
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PHYSICAL ELECTRONICS 5500 multi-technique system
5500
PHYSICAL ELECTRONICS
Used for photoemission spectroscopy studies, including XPS and UPS measurements.
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Quartz crystal microbalance
Monitors deposition rate during thermal vapor evaporation of organic materials.
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Indium tin oxide substrate
Used as a substrate for depositing organic layers and MoO3 coatings.
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Molybdenum trioxide
Coated on ITO substrates to provide a high work function surface for organic deposition.
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