1：实验设计与方法选择：

本研究采用原位溅射工艺，在具有Ir/TiW/SiO2缓冲层的硅衬底上制备铌掺杂PZT薄膜，无需退火或极化即可实现畴结构形成。通过表征介电和压电性能确定优值系数（FOM）及能量收集性能。

2：样品选择与数据来源：

样品制备采用不同铌掺杂浓度（0、2、8、12、14 mol%）的Pb1.3(Zr0.52Ti0.48)1-xNbxO3组分。制备的薄膜悬臂梁尺寸为宽度3毫米×长度25毫米×厚度525微米。

3：14 mol%）的Pb3(Zr52Ti48)1-xNbxO3组分。制备的薄膜悬臂梁尺寸为宽度3毫米×长度25毫米×厚度525微米。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括射频磁控溅射系统、用于缓冲层的直流磁控溅射、阻抗分析仪（安捷伦4194A）、Precision Pro分析仪（Radiant Technologies公司）、函数发生器（固纬AFG-2005）、纳伏表（吉时利2182A）、功率放大器（CERATORQ APAMP-270）、激光位移传感器（RIFTEK RF603）、场发射扫描电镜（JEOL JSM-7001F）、X射线光电子能谱仪（VG Scientific仪器ESCALAB 220i-XL）。材料包括靶材制备用氧化物（PbO、TiO2、ZrO2、Nb2O5）、衬底（SiO2/Si）及电极（Pt、Ir、TiW）。

4：5）、纳伏表（吉时利2182A）、功率放大器（CERATORQ APAMP-270）、激光位移传感器（RIFTEK RF603）、场发射扫描电镜（JEOL JSM-7001F）、X射线光电子能谱仪（VG Scientific仪器ESCALAB 220i-XL）。材料包括靶材制备用氧化物（PbO、TiOZrONb2O5）、衬底（SiO2/Si）及电极（Pt、Ir、TiW）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：通过直流溅射在SiO2/Si衬底上沉积缓冲层（Ir和TiW）。铌掺杂PZT薄膜在660°C下以150W射频功率和37.5mTorr腔室压力（使用氩气）进行溅射沉积。测量电容-电场曲线。使用定制振动台使悬臂梁收集器在共振频率（约41Hz）下振动，通过激光传感器监测位移。在不同负载电阻下测量输出电压和功率。

5：5mTorr腔室压力（使用氩气）进行溅射沉积。测量电容-电场曲线。使用定制振动台使悬臂梁收集器在共振频率（约41Hz）下振动，通过激光传感器监测位移。在不同负载电阻下测量输出电压和功率。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：优值系数计算公式为(-e31)^2 / (ε0 εr)。输出功率计算公式为P = (Vpp/2)^2 / R。分析铌掺杂、印迹行为与收集性能之间的相关性。