研究目的
研究SnS2单晶的能带结构和光学常数，包括吸收、反射和透射光谱，并确定电子跃迁的本质和光学性质。
研究成果
SnS2晶体中最小的带隙源于Γ点和M点之间2.403电子伏特的间接跃迁，在E||b偏振方向存在2.623电子伏特的直接允许跃迁，而在E⊥b偏振方向存在2.698电子伏特的禁戒跃迁。折射率范围为3至4，在2.6电子伏特处达到峰值。通过计算光学函数并在理论能带结构中定位电子跃迁，证实了所观测跃迁的性质。
研究不足
该研究仅限于特定六方相和厚度的SnS2晶体；对于未测量光谱区域的克拉默斯-克勒尼希分析需进行外推。晶格振动的影响未被考虑，这可能影响准确性。
1：实验设计与方法选择：
本研究测量了SnS2晶体在10至300K温度范围内的吸收、反射和波长调制透射光谱。使用MDR-2、DFS-32、SDL-1光谱仪配合自动化计算机系统，通过Kramers-Kronig分析从反射光谱计算光学函数。
2：DFS-SDL-1光谱仪配合自动化计算机系统，通过Kramers-Kronig分析从反射光谱计算光学函数。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：SnS2晶体采用气相输运法生长，厚度78μm至3mm不等，经解理获得镜面。样品筛选基于肉眼识别平行于b轴的表面。
3：实验设备与材料清单：
设备包括MDR-2、DFS-32和SDL-1光谱仪、LTS-22 C 330型封闭式氦光低温系统及自动化测量装置，材料为SnS2单晶。
4：DFS-32和SDL-1光谱仪、LTS-22 C 330型封闭式氦光低温系统及自动化测量装置，材料为SnS2单晶。 实验流程与操作规范：
4. 实验流程与操作规范：将晶体置于低温系统中控温，光谱仪狭缝宽度不超过30μm以保证高分辨率。记录干涉谱与波长调制谱，通过干涉条纹计算折射率。
5：数据分析方法：
采用Kramers-Kronig关系确定光学常数，参照文献方法从干涉谱计算折射率。
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spectrometer
MDR-2
Used for measuring absorption, reflection, and transmission spectra with high luminosity and linear dispersion.
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spectrometer
DFS-32
Used for photoluminescence measurements and Raman spectroscopy.
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spectrometer
SDL-1
Used for optical measurements with automated and computerized systems.
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optical cryogenic system
LTS-22 C 330
Used for low-temperature measurements by depositing crystals in a closed helium environment.
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