1：实验设计与方法选择：

本研究采用近空间升华法（CSS）生长CdZnTe薄膜，射频磁控溅射法沉积BGZO薄膜，以获得高质量薄膜和良好欧姆接触。

2：样品选择与数据来源：

在玻璃衬底上制备BGZO薄膜（20×20 mm2，300 nm厚）；使用高纯度CdZnTe粉末在其上生长CdZnTe厚膜。

3：实验设备与材料清单：

设备包括射频磁控溅射系统、CSS装置、机械抛光机、X射线衍射仪（CuKα1，λ=0.15406 nm）、拉曼光谱仪（Horiba JY HR800UV，Ar+激光器，514.5 nm）、扫描电镜（JSM-7500F）、能谱仪、霍尔测量系统（Accent型号HL5500PC）、Keithley 4200 A-SCS、Ortec多道脉冲高度分析仪。材料包括ZnO陶瓷靶材（99.99%纯度，掺杂0.5 wt%硼和2.5 wt%镓）、CdZnTe多晶粉末（99.9999%纯度）及241Am γ源。

4：15406 nm）、拉曼光谱仪（Horiba JY HR800UV，Ar+激光器，5 nm）、扫描电镜（JSM-7500F）、能谱仪、霍尔测量系统（Accent型号HL5500PC）、Keithley 4200 A-SCS、Ortec多道脉冲高度分析仪。材料包括ZnO陶瓷靶材（99%纯度，掺杂5 wt%硼和5 wt%镓）、CdZnTe多晶粉末（9999%纯度）及241Am γ源。 实验步骤与操作流程：

4. 实验步骤与操作流程：BGZO薄膜在6 mTorr真空和150 W功率下溅射。CdZnTe薄膜通过CSS在2 Pa压力、源温度600°C、衬底温度400°C、距离4 mm条件下生长3小时。薄膜经抛光、清洗后沉积顶部BGZO电极。表征包括XRD、拉曼、SEM、EDS、霍尔测量、I-V测试及Ortec系统的辐射探测。

5：数据分析方法：

XRD分析结晶性，拉曼评估质量，SEM观察形貌，EDS测定成分，霍尔测量电学性能，I-V拟合欧姆接触系数，脉冲高度分析能量分辨率。